封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种封装结构，包括：晶片；至少两个电极焊盘，位于所述晶片的有源面上；第一钝化层，图案化的所述第一钝化层覆盖所述晶片的有源面，并选择性的部分裸露所述电极焊盘；以及相互分离的至少两个电互连结构，位于所述第一钝化层上，并与所述电极焊盘电连接；其中，通过将至少两个所述电互连结构位于所述第一钝化层上的第一部分垫高，以增加相邻的两个所述电互连结构之间的爬电距离。
基本信息
专利标题 ：
封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021801276.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-25
授权号 ：
CN213401191U
授权日 ：
2021-06-08
发明人 ：
叶佳明杨鹏
申请人 ：
矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021801276.7
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L23/31
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2021-06-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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