用于减小凸块厚度变化敏感性以实现凸块间距缩放的多孔FLI...
公开
摘要
本文公开的实施例包括具有鳍间距第一级互连的电子封装。在实施例中，电子封装包括管芯和通过多个第一级互连(FLI)附接到管芯的封装衬底。在实施例中，多个FLI中的各个FLI包括封装衬底上的第一焊盘、第一焊盘上的焊料、管芯上的第二焊盘和第二焊盘上的凸块。在实施例中，凸块包括多孔纳米结构，并且焊料至少部分填充多孔纳米结构。
基本信息
专利标题 ：
用于减小凸块厚度变化敏感性以实现凸块间距缩放的多孔FLI凸块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551389A
申请号 ：
CN202111239069.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
N·艾哈迈德李圭伍B·C·马林段刚
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
舒雄文
优先权 ：
CN202111239069.6
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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