半导体装置的凸块结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体装置的凸块结构，焊垫与辅助垫设置于装置主体上。一绝缘层形成于装置主体上，并具有一辅助孔，以显露出辅助垫。凸块下金属层形成于绝缘层上，并连接至焊垫与辅助垫。细长凸块凸起状设置于凸块下金属层上，细长凸块具有一位于焊垫上的凸块部以及一延伸部，延伸部连接凸块部并位于绝缘层上，并且细长凸块的延伸部的长度不小于凸块部长度的百分之八十，且延伸部覆盖辅助垫并具有一根部，根部位于辅助孔内，以植接至辅助垫。借此，可达到加强细长凸块结合在凸块下金属层上的效果，使细长凸块不会歪斜。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的凸块结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020154998.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-07
授权号 ：
CN211088254U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
锺孙雯
申请人 ：
晶宏半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北市内湖区瑞光路618号4楼
代理机构 ：
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 ：
周鹤
优先权 ：
CN202020154998.1
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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