一种缩小凸块底切的结构
授权
摘要
本实用新型公开了半导体集成电路领域内的一种缩小凸块底切的结构，包括基板，所述基板上设置有至少一个铝垫，基板表面还设置有覆盖各铝垫的保护层，保护层上对应每个铝垫均设有一个开口，每个所述开口周围的保护层上围绕开设有下沉凹槽，与所述开口相对应的铝垫上方、开口周围的保护层上方以及下沉凹槽底部均覆盖设置有阻障层，所述阻障层上方设置有种子层，种子层上方设置有凸块，下沉凹槽的外侧槽壁与凸块外侧面上下对应设置，下沉凹槽的内侧槽壁位于凸块下方，下沉凹槽的宽度为0.5~5μm，下沉凹槽的深度为1~2μm。本实用新型能够缩小凸块下方形成的底切结构，使得凸块结构更加牢固，提高芯片凸块结构的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种缩小凸块底切的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020224822.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-28
授权号 ：
CN211350632U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
时庆楠
申请人 ：
江苏汇成光电有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区高新技术产业开发区金荣路19号
代理机构 ：
南京苏科专利代理有限责任公司
代理人 ：
王峰
优先权 ：
CN202020224822.9
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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