晶片结构以及凸块制造工艺

专利权的终止

摘要

一种晶片结构，其包括半导体基板、多个弹性件、多个球底金属层以及多个凸块。半导体基板具有主动表面，且其具有多个设置于主动表面上的焊垫；上述弹性件分别设置于焊垫上，且各弹性件具有开口，以暴露出部分的焊垫；球底金属层分别覆盖于弹性件上，且各球底金属层连接至对应的焊垫；凸块分别设置于球底金属层上。

基本信息

专利标题：

晶片结构以及凸块制造工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1988142A

申请号：

CN200610064870.0

公开（公告）日：

2007-06-27

申请日：

2006-03-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王俊恒

申请人：

南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹县研发一路一号

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

胡光星

优先权：

CN200610064870.0

主分类号：

H01L23/485

IPC分类号：

H01L23/485 H01L21/28 H01L21/60

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/48

用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置

H01L23/482

由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的

H01L23/485

包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头

法律状态

2022-02-25 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/44
申请日 : 20060316
授权公告日 : 20081119
终止日期 : 20210316

2008-11-19 ：

授权

2007-08-22 ：

实质审查的生效

2007-06-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载