凸块的制造方法与晶片封装结构
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明是有关于一种凸块的制造方法与晶片封装结构。该凸块的制造方法，先在一基板上形成一第一金属层。接着，在第一金属层上形成一图案化第二金属层。紧接着，在图案化第二金属层上形成多个平顶凸块。最后，图案化第一金属层，以形成多个接垫与连接至这些接垫的多条导线。
基本信息
专利标题 ：
凸块的制造方法与晶片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941302A
申请号 ：
CN200510108091.1
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王俊恒
申请人 ：
南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510108091.1
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/60 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2009-02-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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