用于制造具有用于外部封装连接性的贯穿晶片过孔的晶片级封装...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
根据一个示例性实施例，一种用于制造晶片级封装的方法包括：在器件晶片上形成聚合物层，其中所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和器件，并且其中所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述器件。所述方法还包括将保护晶片接合到所述器件晶片。所述方法还包括在所述保护晶片中形成至少一个过孔，其中所述至少一个过孔延伸贯穿所述保护晶片并且位于所述至少一个器件晶片接触衬垫之上。所述方法还包括在所述保护晶片上形成至少一个保护晶片接触衬垫，其中所述至少一个保护晶片接触衬垫位于所述至少一个过孔之上并且被电连接到所述至少一个器件晶片接触衬垫。
基本信息
专利标题 ：
用于制造具有用于外部封装连接性的贯穿晶片过孔的晶片级封装的方法和相关的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101248518A
申请号 ：
CN200680006445.4
公开（公告）日 ：
2008-08-20
申请日 ：
2006-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
Q·甘A·J·罗比安柯R·W·华伦
申请人 ：
斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
杨晓光
优先权 ：
CN200680006445.4
主分类号 ：
H01L21/44
IPC分类号 ：
H01L21/44
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/44
用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2010-08-18 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101004079062
IPC(主分类) : H01L 21/44
专利申请号 : 2006800064454
公开日 : 20080820
号牌文件序号 : 101004079062
IPC(主分类) : H01L 21/44
专利申请号 : 2006800064454
公开日 : 20080820
2008-10-15 ：
实质审查的生效
2008-08-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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