制造具有通孔连接的双面SOI晶片级封装的装置和方法

专利申请权、专利权的转移

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摘要

一种半导体封装包括SOI晶片，所述SOI晶片具有包括集成电路系统的第一面和与所述第一面相反并形成至少一个空腔的第二面。至少一个芯片或者部件被设置在所述空腔中。掩埋氧化物通孔将所述芯片连接到所述集成电路系统。

基本信息

专利标题：

制造具有通孔连接的双面SOI晶片级封装的装置和方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101044618A

申请号：

CN200580035939.0

公开（公告）日：

2007-09-26

申请日：

2005-11-03

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

H·H·陈L·L－C·许

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200580035939.0

主分类号：

H01L23/48

IPC分类号：

H01L23/48 H01L25/065 H01L25/18 H01L21/768 H01L29/06

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/48

用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置

法律状态

2017-11-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/48
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2017-11-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/48
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2009-04-22 ：

授权

2007-11-21 ：

实质审查的生效

2007-09-26 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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