硅通孔标记以及包含硅通孔标记的半导体器件和封装件
公开
摘要
一种用于套刻测量的硅通孔(TSV)标记包括：第一TSV，在与衬底的顶表面垂直的第一方向上延伸穿过衬底的至少一部分；以及至少一个环形图案，在与衬底的顶表面平行的第二方向上与第一TSV分开并围绕第一TSV，至少一个环形图案布置在沿第一方向比第一TSV的顶表面低的层中，其中，内测量点对应于第一TSV，外测量点对应于至少一个环形图案，并且内测量点和外测量点被布置为提供对TSV的套刻测量。
基本信息
专利标题 ：
硅通孔标记以及包含硅通孔标记的半导体器件和封装件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446908A
申请号 ：
CN202111004796.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-08-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金勇烨吴世一金恩知朴光郁柳志学
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李敬文
优先权 ：
CN202111004796.4
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
