基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法及器件
公开
摘要
本发明公开了基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法及器件，属于半导体制造技术领域，包括在完成正面器件的衬底上刻蚀第一背孔，并在第一背孔中制备第一金属层；在衬底正面涂布保护层，并对衬底背面进行减薄处理；在衬底背面进行刻蚀形成第二背孔直至暴露第一背孔，实现深背孔的制作。本发明通过在器件正面、背面分别刻蚀第一背孔、第二背孔进而实现深背孔的制作，保证了刻蚀良率与效率，大大降低了深背孔制作难度；同时，在第一背孔、第二背孔中分别制作第一金属层、第二金属层，降低了深背孔电镀电路连接难度；在正反面双面通孔的基础上，控制光刻胶的形貌和等离子体刻蚀条件，有效解决衬底侧刻问题。
基本信息
专利标题 ：
基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法及器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566461A
申请号 ：
CN202210198731.6
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭盼盼向遥闫未霞彭挺
申请人 ：
成都海威华芯科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联大道88号
代理机构 ：
成都华风专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张巨箭
优先权 ：
CN202210198731.6
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
