衬底通孔及制造衬底通孔的方法
实质审查的生效
摘要
一种开放式衬底通孔(1)TSV包括绝缘层(20)，该绝缘层与沟槽(14)的侧壁(15)的至少部分以及与衬底主体(10)的表面(13)相邻设置。TSV还包括：金属化层(30)，其与绝缘层(20)的至少部分以及与所述沟槽(14)的底壁(16)的至少部分相邻设置；再分布层(40)，其与金属化层(30)的至少部分以及与绝缘层(20)的与表面(13)相邻设置的部分相邻设置；以及覆盖层(50)，其与金属化层(30)的至少部分以及与再分布层(40)的至少部分相邻设置。绝缘层(20)和/或覆盖层(50)包括在材料特性方面彼此不同的子层(21、22、51、52)。子层中的第一层(21、51)与侧壁(15)的至少部分以及与表面(13)的至少部分相邻设置，并且子层中的第二层(22、52)与表面(13)的至少部分相邻设置。
基本信息
专利标题 ：
衬底通孔及制造衬底通孔的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342061A
申请号 ：
CN202080061616.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-08-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
乔治·帕特德尔约亨·克拉夫特斯蒂芬·杰森尼戈
申请人 ：
AMS有限公司
申请人地址 ：
奥地利普伦斯塔滕
代理机构 ：
北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
程强
优先权 ：
CN202080061616.3
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20200827
申请日 : 20200827
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
