具有嵌入式层叠硅通孔管芯的衬底
授权
摘要
本申请公开了具有嵌入式层叠硅通孔管芯的衬底。描述了具有嵌入式层叠硅通孔的衬底。例如，一种装置包括第一管芯和第二管芯。第二管芯具有布置在其中的一个或多个硅通孔(TSV管芯)。第一管芯通过所述一个或多个硅通孔电耦合到TSV管芯。该装置还包括无芯衬底。第一管芯和TSV管芯二者都嵌入在无芯衬底中。
基本信息
专利标题 ：
具有嵌入式层叠硅通孔管芯的衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108538734A
申请号 ：
CN201810326216.5
公开（公告）日 ：
2018-09-14
申请日 ：
2011-11-21
授权号 ：
CN108538734B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
J·S·冈萨雷斯H·乔玛
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
何焜
优先权 ：
CN201810326216.5
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/683 H01L23/48 H01L23/31 H01L23/498 H01L23/538 H01L25/065 H01L25/10 H01L23/14
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2018-10-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20111121
申请日 : 20111121
2018-09-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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