一种单层硅衬底的通孔刻蚀方法
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摘要
本发明公开了一种单层硅衬底的通孔刻蚀方法。具体加工步骤如下：将硅片进行标准清洗；在清洗后的硅片背面制备支撑层；在硅片的正面制备刻蚀掩膜层并进行图形化；将硅片放入硅刻蚀机中进行正面的硅通孔刻蚀，加工至硅材料刻蚀完成；去除硅片正面剩余的掩膜层；去除背面的支撑层材料，并进行标准清洗。该方法通过在硅片背面制备支撑层，解决刻蚀终点时由于硅片背部氦气漏率大导致静电卡盘结构的刻蚀机刻蚀工艺无法正常运行的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种单层硅衬底的通孔刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110190025A
申请号 ：
CN201910380598.4
公开（公告）日 ：
2019-08-30
申请日 ：
2019-05-08
授权号 ：
CN110190025B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
梁德春刘福民杨静崔尉邱飞燕吴浩越
申请人 ：
北京航天控制仪器研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区北京142信箱403分箱
代理机构 ：
中国航天科技专利中心
代理人 ：
张辉
优先权 ：
CN201910380598.4
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2019-09-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20190508
申请日 : 20190508
2019-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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