一种通孔刻蚀方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种通孔刻蚀方法,包括提供一复合结构,复合结构包括一第一材质介质层,及覆盖于第一材质介质层上表面的第二材质介质层,第二材质介质层中包括一介质层,填充于一第一金属层及一第二金属层之间,并覆盖第一金属层露出第二金属层的部分,以及第二金属层的上表面;提供一掩膜覆盖复合结构;通过掩膜,刻蚀复数个通孔;提供一刻蚀选择比,根据刻蚀选择比逐次刻蚀复数个通孔,并于每次刻蚀后调整刻蚀选择比,降低第一材质介质层和/或介质层的刻蚀量,以使复数个通孔的底部停留在不同的深度。本发明技术方案的有益效果为:既保证了通孔形貌,同时又能控制不同目标位置的通孔能够各自停止在需要的深度。

基本信息
专利标题 :
一种通孔刻蚀方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114284205A
申请号 :
CN202111508943.1
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
马莉娜姚道州
申请人 :
华虹半导体(无锡)有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 :
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 :
刘昌荣
优先权 :
CN202111508943.1
主分类号 :
H01L21/768
IPC分类号 :
H01L21/768  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20211210
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332