金属层间通孔形成方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种金属层间通孔形成方法,在介质凹槽侧壁上保留一定厚度的绝缘层材料,在后续对介质凹槽及对应通孔实施金属层间介质一体化刻蚀时,由于介质凹槽侧壁有绝缘层材料残余的保护,介质凹槽的开口尺寸保持不变不会变大,同时也是介质凹槽侧壁的残余绝缘层材料的作用,通孔相对底层金属即使有移位也不会偏移出相应的位线的底层金属外面,不会因通孔移位造成的某一边的金属间距更小,避免相邻通孔之间出现金属短接风险,增加了底层金属的通孔区域的工艺窗口,增加了次工艺的窗口边距,从而提升了金属层间通孔形成工艺的健康度。

基本信息
专利标题 :
金属层间通孔形成方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496911A
申请号 :
CN202210057474.4
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
叶晓
申请人 :
普冉半导体(上海)股份有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区盛夏路560号504室
代理机构 :
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 :
王江富
优先权 :
CN202210057474.4
主分类号 :
H01L21/768
IPC分类号 :
H01L21/768  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20220119
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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