在层间介质互连中形成低电阻和可靠过孔的方法

专利权的终止

摘要

一种具有低接触电阻和改善的可靠性的新颖层间接触过孔结构，以及形成该接触过孔的方法。所述方法包括以下步骤：穿过层间介质层蚀刻开口，以露出下面的金属(铜)层表面；以及在所述露出的下面的金属中进行惰性气体(氮)的低能量离子注入；以及在所述过孔结构的侧壁和底部中沉积耐熔衬里，由于进行了惰性气体注入，所述耐熔衬里将具有较低的接触电阻。优选地，所述惰性氮气与所述下面露出的铜金属反应，以形成薄CuN层。

基本信息

专利标题：

在层间介质互连中形成低电阻和可靠过孔的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1779946A

申请号：

CN200510108395.8

公开（公告）日：

2006-05-31

申请日：

2005-10-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

C·小凯波勒L·A·克莱文格尔T·J·达尔顿P·W·德黑文C·T·迪兹奥布科沃斯基方隼飞T·A·斯普纳T－L·L·泰K·H·翁杨智超

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200510108395.8

主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/768 H01L23/522

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/71

限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造

H01L21/768

利用互连在器件中的分离元件间传输电流

法律状态

2019-10-08 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20051013
授权公告日 : 20080402
终止日期 : 20181013

2017-11-24 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/768
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2017-11-24 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/768
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2008-04-02 ：

授权

2006-07-26 ：

实质审查的生效

2006-05-31 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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