在线端的自对准顶部过孔形成
实质审查的生效
摘要
一种在线端处形成自对准过孔(2302、2402)的方法，包括：图案化偶数/奇数金属线(202、302)，包括使用第一/第二硬掩模(102、104)；使用切割掩模(402、1102)切割硬掩模(102、104)和选定金属线(202、302)，偶数或奇数的，所述切割掩模具有窗口(404)，所述窗口在选定金属线(202、302)的切割区域之上暴露硬掩模(102、104)；扩大所述窗口(404)以暴露所述切割区域的任一侧上的所述硬掩模(102、104)；使用扩大的窗口(1104)选择性地蚀刻所述硬掩模(102、104)，以在所述切割区域内形成T形空腔(902、1502)；用间隙填充电介质(2002)填充所述T形腔(902、1502)；去除所述硬掩模(102、104)；以及使所述金属线凹陷(202、302)，其中所述间隙填充电介质(2002)悬垂于所述选定金属线(202、302)的通过所述凹陷在所述金属线(202、302)的端部处形成所述自对准过孔(2302、2402)的部分。还提供了一种结构。
基本信息
专利标题 ：
在线端的自对准顶部过孔形成
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503249A
申请号 ：
CN202080069804.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A.杜塔J.阿诺德D.梅特兹勒
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约阿芒克
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王蕊瑞
优先权 ：
CN202080069804.0
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/522
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20200924
申请日 : 20200924
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
