在线端部形成自对准顶部通孔
实质审查的生效
摘要
一种用于制造半导体器件的方法包括：使第一奇数硬掩模和第一偶数硬掩模凹陷，以形成凹陷的奇数和偶数硬掩模；在凹陷的奇数硬掩模上形成第一导电硬掩模，第一导电硬掩模包括第一导电硬掩模材料，在凹陷的偶数硬掩模上形成第二导电硬掩模；以及至少部分地基于第一导电硬掩模和第二导电硬掩模，在对应于第一奇数和偶数导线的线端处形成自对准通孔。
基本信息
专利标题 ：
在线端部形成自对准顶部通孔
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114424320A
申请号 ：
CN202080066459.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-08-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J.阿诺德A.杜塔D.梅茨勒E.A.德西尔瓦
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约阿芒克
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈金林
优先权 ：
CN202080066459.5
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20200819
申请日 : 20200819
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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