通孔阵列的形成方法及半导体器件的形成方法
授权
摘要
本发明提供了一种通孔阵列的形成方法及半导体器件的形成方法。通过第二掩膜层优化第一分格阵列的图形，以将第一分格阵列中位于边缘位置的第一分格和第二分格相互连通，相当于消除了不希望形成的第一分格，或者也可以认为，当第一分格存在开口尺寸较小的问题时，通过与第二分格的合并，克服了最终所形成的第二分格阵列中存在开口尺寸较小的分格的缺陷，确保后续在将第二分格阵列复制至衬底中以形成通孔阵列时，可使通孔阵列中的各个通孔均能够延伸至衬底的预定深度位置中。
基本信息
专利标题 ：
通孔阵列的形成方法及半导体器件的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111029249A
申请号 ：
CN201811174605.7
公开（公告）日 ：
2020-04-17
申请日 ：
2018-10-09
授权号 ：
CN111029249B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
吴晗
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
智云
优先权 ：
CN201811174605.7
主分类号 ：
H01L21/033
IPC分类号 ：
H01L21/033 H01L23/64
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033
包括无机层的
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-05-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/033
申请日 : 20181009
申请日 : 20181009
2020-04-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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