在磷化铟InP基片上形成通孔的方法及半导体光电器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及半导体材料加工技术领域，特别是一种在InP基片中湿法刻蚀孔或通孔的方法。方法包括利用电化学腐蚀的方法先在通孔位置电化学腐蚀出穿透InP基片电流微孔，微孔腔与InP基片表面垂直，再采用常规化学腐蚀液进行通孔刻蚀；电化学腐蚀形成的与通孔方向一致多孔的InP。另外，提供了这种通孔的金属化填充方法。半导体光电器件，包括：基片、光电器件有源区外延层、金属化填充的导电通孔、背电极金属层、正电极、焊接凸点、以及器件钝化保护层，在掩膜层上采用常规光刻工艺光刻出通孔开口图形，通孔形成在磷化铟InP衬底上，该半导体光电器件结构具有一正表面和一基本与其相对的背表面，光电器件采用倒扣封装模式。
基本信息
专利标题 ：
在磷化铟InP基片上形成通孔的方法及半导体光电器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101017779A
申请号 ：
CN200610003070.8
公开（公告）日 ：
2007-08-15
申请日 ：
2006-02-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李宝霞吴德馨杨成樾
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
100029北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
段成云
优先权 ：
CN200610003070.8
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L33/00 H01L31/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2009-12-16 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-10 ：
实质审查的生效
2007-08-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
