半导体基片的制作方法
专利申请的视为撤回
摘要
多孔硅腐蚀液，使用该腐蚀液的腐蚀方法及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法，其优点，提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅，并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀的腐蚀液，该腐蚀液可以是氢氟酸。制作半导体基片的制造方法包括如下工序：形成具有非多孔硅单晶层和多孔硅层的衬底，将有绝缘性材料表面的衬底接合在该单晶层的表面上，用浸入氢氟酸的方法腐蚀除去多孔硅层。
基本信息
专利标题 ：
半导体基片的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1099905A
申请号 ：
CN93118894.6
公开（公告）日 ：
1995-03-08
申请日 ：
1992-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
坂口清文米原隆夫佐藤信彦
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN93118894.6
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/306 C23F1/24
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
1998-11-18 ：
专利申请的视为撤回
1995-03-08 ：
公开
1995-02-22 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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