半导体元件与其制作方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供一种半导体元件与其制作方法。该半导体元件包含有一基底、一栅结构、至少一L形层与一间隙壁、以及一应力层。该栅结构设于该基底上，该L形层具有一第一脚边，沿着该栅结构延伸到一第一端点，以及一第二脚边，沿着该基底延伸到一第二端点。该间隙与该L形层的该第一脚边跟第二脚边相接触。该应力层具有内应力，覆盖在该栅结构、该L形层、该间隙壁以及该基底的部分区域，该应力层与该第一端点以及该第二端点相接触。本发明所述的半导体元件与其制作方法提高了元件内载流子移动率以及元件效能。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件与其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1893112A
申请号 ：
CN200610003114.7
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈尚志黄世贤王志豪
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610003114.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/092 H01L21/336 H01L21/8238
法律状态
2011-09-14 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101183764232
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2006100031147
公开日 : 20070110
号牌文件序号 : 101183764232
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2006100031147
公开日 : 20070110
2007-03-07 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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