半导体元件及其制作方法
授权
摘要
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，主要先形成一第一位线结构于一基底上，然后形成一第一间隙壁于第一位线结构旁，形成一层间介电层于第一间隙壁旁，去除部分层间介电层以及部分第一间隙壁并暴露出第一位线结构侧壁，之后再形成一第一存储节点接触隔离结构于第一位线结构旁，其中第一存储节点接触隔离结构直接接触第一位线结构以及第一间隙壁。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110581103A
申请号 ：
CN201810582040.X
公开（公告）日 ：
2019-12-17
申请日 ：
2018-06-07
授权号 ：
CN110581103B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
吴柏翰李甫哲蔡建成刘姿岑吕文杰
申请人 ：
联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201810582040.X
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-01-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20180607
申请日 : 20180607
2019-12-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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