半导体元件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包括基底，其包括一存储器区及一逻辑区。第一介电层，位于该基底上。一第一导电结构以及一第二导电结构，分别位于该存储器区及该逻辑区上的该第一介电层中。一存储单元，位于该第一介电层上并且直接接触该第一导电结构的一顶面。一第一盖层位于该第一介电层上并且连续覆盖该存储单元的一顶面和一侧壁并且直接接触该第二导电结构的一顶面。一第二介电层，位于该第一盖层上。一第三导电结构，位于该第二介电层中并且穿过该第一盖层以接触该存储单元。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284311A
申请号 ：
CN202011037705.2
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2020-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王温壬郑钧鸿王泉富
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011037705.2
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L45/00
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/24
申请日 : 20200928
申请日 : 20200928
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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