半导体元件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件为一种高电子迁移率晶体管，包括基底、第一外延层设于该基底上，其中该第一外延层的上部包括多个第一凹槽、第二外延层设于该第一外延层上并且部分填入该多个第一凹槽，其中该第二外延层包围该多个第一凹槽内的多个第一气隙、第三外延层设于该第二外延层上，以及一栅极设于该第三外延层上。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335173A
申请号 ：
CN202011083391.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李健逢张嘉骅颜湘婕
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011083391.X
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/06 H01L21/335
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20201012
申请日 : 20201012
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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