半导体元件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为，首先形成一栅极结构于一基底上，然后形成一接触洞蚀刻停止层于栅极结构上，形成一层间介电层于接触洞蚀刻停止层上，之后进行一固化制作工艺使接触洞蚀刻停止层的氧浓度不同于层间介电层的氧浓度，并再进行一金属栅极置换制作工艺将该栅极结构转换为金属栅极。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446883A
申请号 ：
CN202210020249.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2017-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许得彰陈俊嘉王尧展
申请人 ：
蓝枪半导体有限责任公司
申请人地址 ：
爱尔兰都柏林
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
胡昊明
优先权 ：
CN202210020249.3
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L21/336 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20170922
申请日 : 20170922
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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