提供能够在薄的半导体层上稳定形成元件隔离层同时抑制鸟嘴状物形成的方法。本发明提供一种半导体元件的制作方法，该半导体元件在具有支撑衬底和该支撑衬底上方的半导体层的半导体衬底上形成，所述半导体元件的制造方法的特征在于，包括：准备设定了晶体管形成区域和元件隔离区域的上述半导体衬底的工序；在该半导体衬底的半导体层上形成衬垫氧化膜的工序；在该衬垫氧化膜上形成耐氧化性掩模层的工序；在上述耐氧化性掩模层上形成覆盖上述晶体管形成区域的抗蚀剂掩模的工序；将该抗蚀剂掩模作为掩模、刻蚀上述耐氧化性掩模层后露出上述元件隔离区域的衬垫氧化膜的第1刻蚀工序；以及除去上述抗蚀剂掩模、并将露出的上述耐氧化性掩模层作为掩模、用LOCOS法氧化上述露出的衬垫氧化膜下的半导体层、形成元件隔离层的工序。