半导体元件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一鳍状结构于基底上，然后形成一栅极材料层于鳍状结构上，进行一蚀刻制作工艺图案化栅极材料层以形成一栅极结构以及一硅残留，对该硅残留进行灰化制作工艺，再进行一清洗制作工艺将该硅残留转换为聚合物停止层于鳍状结构顶部及侧壁。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334655A
申请号 ：
CN202011082680.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林俊贤
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011082680.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20201012
申请日 : 20201012
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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