半导体元件及其制作方法
公开
摘要
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先提供一基底包含第一区域以及第二区域，然后形成第一鳍状结构于该第一区域上，去除部分第一鳍状结构以形成一第一凹槽，形成一介电层于第一凹槽内以形成一双扩散隔离结构，再形成一第一栅极结构以及一第二栅极结构于双扩散隔离结构上，其中第一栅极结构底表面低于第一鳍状结构顶表面。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597129A
申请号 ：
CN202011411105.8
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄守万林俊贤
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011411105.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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