半导体元件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于基底上，然后形成一上电极于MTJ上，形成一金属间介电层环绕上电极及MTJ，形成一接触层于金属间介电层及MTJ上，再图案化接触层以形成一接触垫，其中接触垫设于上电极以及上电极一侧的金属间介电层上。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447023A
申请号 ：
CN202011203268.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林大钧施易安蔡滨祥蔡馥郁
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011203268.7
主分类号 ：
H01L27/22
IPC分类号 ：
H01L27/22 H01L43/08 H01L43/12
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/22
申请日 : 20201102
申请日 : 20201102
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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