半导体元件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一金属间介电层于基底上以及金属内连线于第一金属间介电层内，然后形成磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)以及一上电极于金属内连线上，形成间隙壁于MTJ以及上电极旁，形成一第二金属间介电层环绕间隙壁，形成一遮盖层于上电极、间隙壁及第二金属间介电层上，再图案化遮盖层以形成保护盖于上电极及间隙壁上。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335331A
申请号 ：
CN202011083857.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王慧琳许博凯范儒钧许清桦林奕佑陈宏岳
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011083857.6
主分类号 ：
H01L43/12
IPC分类号 ：
H01L43/12 H01L27/22 H01L43/08
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/12
申请日 : 20201012
申请日 : 20201012
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
