半导体元件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件的制作方法包括：供一基底，包括一逻辑元件区以及一存储器元件区。接着形成一存储器堆叠结构于存储器元件区上，并形成一保护层覆盖存储器堆叠结构的顶面及侧壁。然后形成第一层间介电层于保护层上，并进行一研磨后回蚀刻制作工艺，以移除存储器堆叠结构的顶面上的部分第一层间介电层及部分保护层。接着形成一第二层间介电层于第一层间介电层上并直接接触保护层，然后形成一上接触结构穿过第二层间介电层及存储器堆叠结构的顶面上的保护层并接触该存储器堆叠结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512597A
申请号 ：
CN202011276897.2
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭致玮
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011276897.2
主分类号 ：
H01L43/12
IPC分类号 ：
H01L43/12 H01L27/22 H01L43/08
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/12
申请日 : 20201116
申请日 : 20201116
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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