半导体元件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作最小鳍状结构长度的方法为，首先形成一鳍状结构沿着一第一方向延伸于基底上，然后形成第一单扩散隔离结构以及第二单扩散隔离结构沿着一第二方向延伸并将该鳍状结构分隔为第一部分、第二部分以及第三部分。接着进行一鳍状结构切割制作工艺，例如先形成一图案化掩模于基底上，其中图案化掩模包含一开口暴露出第一单扩散隔离结构、第二部分以及第二单扩散隔离结构，随后再去除第一部分以该第三部分。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512441A
申请号 ：
CN202011276918.0
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘健恒黄家纬于心仁郑永丰陈明瑞
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011276918.0
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088 H01L21/336 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20201116
申请日 : 20201116
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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