半导体元件与其制作方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供一种半导体元件与其制作方法。该半导体元件包含有一基底、一栅结构、至少一L形层与一间隙壁、以及一应力层。该栅结构设于该基底上，该L形层具有一第一脚边，沿着该栅结构延伸到一第一端点，以及一第二脚边，沿着该基底延伸到一第二端点。该间隙与该L形层的该第一脚边跟第二脚边相接触。该应力层具有内应力，覆盖在该栅结构、该L形层、该间隙壁以及该基底的部分区域，该应力层与该第一端点以及该第二端点相接触。本发明所述的半导体元件与其制作方法提高了元件内载流子移动率以及元件效能。

基本信息

专利标题：

半导体元件与其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN102044566A

申请号：

CN201010526212.5

公开（公告）日：

2011-05-04

申请日：

2006-02-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈尚志黄世贤王志豪

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

刘新宇

优先权：

CN201010526212.5

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336 H01L21/8238