半导体元件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于基底上的MRAM区域，然后形成一第一金属间介电层环绕MTJ，形成一图案化掩模于基底上的逻辑区域，进行氮化制作工艺将部分第一金属间介电层转换为一氮化层于MTJ上，形成第一金属内连线于逻辑区域上，形成一停止层于第一金属间介电层上，形成一第二金属间介电层于停止层上，再形成一第二金属内连线于第二金属间介电层内并连接MTJ。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335068A
申请号 ：
CN202011058791.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王慧琳翁宸毅蔡锡翰张哲维许博凯张境尹王裕平范儒钧许清桦林奕佑陈宏岳
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011058791.5
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L43/08 H01L43/10 H01L43/12
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/24
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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