半导体元件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体元件，包括一基底、一埋入氧化层位于该基底中，该埋入氧化层邻近该基底的一表面、一栅极介电层位于该基底上并且覆盖该埋入氧化层、一栅极结构位于该栅极介电层上，并且重叠该埋入氧化层，以及一源极区及一漏极区分别位于该栅极结构两侧的该基底中。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429954A
申请号 ：
CN202011177946.7
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄圣尧陈昱瑞蔡仁杰林毓翔
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011177946.7
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L29/423 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/088
申请日 : 20201029
申请日 : 20201029
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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