半导体元件及其制作方法
公开
摘要
本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中，该半导体元件包含一鳍状结构，一栅极结构，一外延层，一锗层，一层间介电层以及一第一插塞。该鳍状结构设置在一基底上。该栅极结构横跨该鳍状结构。该外延层设置在该鳍状结构内且邻接该栅极结构。该锗层设置在该外延层上。该层间介电层覆盖在该基底及该鳍状结构上。该第一插塞设置在该层间介电层内并接触该锗层。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300363A
申请号 ：
CN202111637731.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2015-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕佳霖林俊贤陈俊隆廖琨垣张峰溢
申请人 ：
蓝枪半导体有限责任公司
申请人地址 ：
爱尔兰都柏林
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
赵国荣
优先权 ：
CN202111637731.3
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/768 H01L29/417 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
