半导体装置的制作方法
公开
摘要
本发明涉及半导体装置的制作方法。半导体装置的制作方法具有:在氮化硅膜和第一导电膜上形成含有碳的第一膜的工序;形成包围第一膜的第一氧化硅膜的工序,其中,上述第一氧化硅膜位于氮化硅膜和第一导电膜上;除去第一膜而在第一氧化硅膜形成使氮化硅膜的至少一部分和第一导电膜的至少一部分露出的第一开口的工序;以及在第一开口内,在第一导电膜上以接触的方式形成第二导电膜的工序。
基本信息
专利标题 :
半导体装置的制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114375493A
申请号 :
CN202080064193.0
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2020-09-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
山口晋平今井清隆壶井笃司
申请人 :
东京毅力科创株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
王鑫
优先权 :
CN202080064193.0
主分类号 :
H01L21/768
IPC分类号 :
H01L21/768 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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