半导体装置及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括半导体基底、形成在半导体基底中的集成电路区域以及一个或多个密封环，一个或多个密封环设于半导体基底中，且围绕集成电路区域的周边布置，用以防护集成电路区域；其中，密封环具有波浪形结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512447A
申请号 ：
CN202011170771.7
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨年旺黄信斌
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵新龙
优先权 ：
CN202011170771.7
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L21/77
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/00
申请日 : 20201028
申请日 : 20201028
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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