本发明实施例属于半导体制造技术领域，涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构，用于解决的接触垫容易断裂的问题。该半导体结构制作方法包括：在衬底上形成导电层，去除部分导电层以形成由多个接触垫构成的接触结构，每一接触垫与一个衬底上的晶体管结构电连接；在形成接触垫之后，通过干法蚀刻的方式去除接触垫背离衬底的顶端上的残留核心；与湿法蚀刻相比，干法蚀刻具有各向异性，在向衬底的方向蚀刻接触垫时，不会对接触垫侧壁以及接触垫侧壁所在平面的其他膜层造成破坏，也就是说，接触垫与绝缘结构背离衬底的表面之间的导电阻挡层不会被破坏，保证了接触垫与绝缘结构之间的连接力，进而避免接触垫断裂。