半导体结构的制作方法及半导体结构
公开
摘要
本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制作方法，涉及半导体技术领域。半导体结构包括：衬底、第一介电层、第二介电层和栅极结构，衬底上具有有源区，有源区内设有第一掺杂类型的源极区和第一掺杂类型的漏极区；至少部分第一介电层设在衬底上，并覆盖在部分源极区和/或部分漏极区上；第二介电层设在衬底上，第一介电层和第二介电层连接，第二介电层的厚度小于第一介电层的厚度；栅极结构在衬底上的正投影覆盖第二介电层和第一介电层在衬底上的正投影。本公开的半导体结构中的第二介电层的厚度小于第一介电层的厚度，有效降低了栅极结构与源极区的交叠区、和/或栅极结构与漏极区的交叠区之间的寄生电容，提高了半导体结构的电性。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制作方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582801A
申请号 ：
CN202210477822.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕赵鸿
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司;长鑫集电（北京）存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
李冬梅
优先权 ：
CN202210477822.3
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/48 H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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