半导体结构的制作方法及半导体结构
实质审查的生效
摘要
本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构的制作方法及半导体结构。半导体结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成导电层；在导电层上依次形成底部掩膜结构、中间掩膜结构和顶部图案化掩膜结构；利用顶部图案化掩膜结构在底部掩膜结构中形成第一图案结构；在第一图案结构上形成第一掩膜结构，在第一掩膜结构中形成第二图案结构，利用第二图案结构刻蚀第一图案结构形成第三图案化结构；以第三图案化结构刻蚀导电层，形成多个接触垫结构；其中，第一图案结构包括多条沿第一方向延伸的第一线条图案，第二图案结构包括多条沿第二方向延伸的第二线条图案，第一方向与第二方向不同，可以形成多个高精度的接触垫结构，改善了半导体结构性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制作方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361105A
申请号 ：
CN202210037791.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹新满夏军张家云
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
李建忠
优先权 ：
CN202210037791.X
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/48 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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