半导体结构的制作方法及半导体结构
实质审查的生效
摘要
本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，包括提供第一晶圆，第一晶圆具有相对的第一面和第二面，且第一晶圆内具有第一导电结构，第一导电结构的一端位于第一晶圆内；沿第二面垂直于第一面的方向，对第一晶圆进行减薄处理，直至剩余的第一晶圆的厚度达到预设厚度已露出第一导电结构的一端，减薄处理包括至少一次膜层剥离处理，膜层剥离处理包括：对第二面进行氢离子注入，以在第一晶圆内形成含氢离子层；对第一晶圆进行加热处理，以使含氢离子层脱落。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制作方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496748A
申请号 ：
CN202210038564.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄凌艺
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN202210038564.9
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L21/324 H01L21/18 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/265
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
