半导体结构的制作方法及半导体结构
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：提供初始结构，初始结构包括叠层结构以及形成于叠层结构中的多个电容孔，每个电容孔中形成有下电极；形成硬掩膜层，硬掩膜层覆盖初始结构的顶面；通过刻蚀气体刻蚀硬掩膜层形成多个第一开口；刻蚀气体包括第一气体，第一气体包括含氮成分和/或含氢成分的气体，避免第一气体和下电极的材料发生化合反应。在本公开中，通过含氮成分和/或含氢成分的气体刻蚀硬掩膜层，刻蚀产物与下电极的材料不反应，避免了下电极的材料损耗，以使形成的电容结构具有更高的电容存储能力。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制作方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420839A
申请号 ：
CN202210054443.3
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李君才杨波杨校宇曹凯吴公一
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
鲁盛楠
优先权 ：
CN202210054443.3
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L27/108 H01L21/8242
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 49/02
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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