半导体结构的制作方法及半导体结构
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括，提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在第一区域上形成第一器件，第一器件包括第一栅极结构，第一栅极结构包括第一功函数层；在第二区域上形成第二器件，第二器件包括第二栅极结构，第二栅极结构包括第二功函数层；第一栅极结构的顶面与第二栅极结构的顶面平齐。在本公开中，第一器件的第一栅极结构和第二器件的第二栅极结构在同一刻蚀制程中形成，第一栅极结构和第二栅极结构的制程高度相等，降低了形成第一栅极结构和第二栅极结构的工艺难度，提高了半导体结构的成品率和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制作方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420638A
申请号 ：
CN202210058165.9
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王蒙蒙
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
鲁盛楠
优先权 ：
CN202210058165.9
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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