半导体结构及其制作方法
授权
摘要
本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含一底材，其上具有多个鳍状结构；一绝缘氧化结构，设于该底材中，该绝缘氧化结构介于两个相邻的所述鳍状结构之间，其中该绝缘氧化结构具有一下凹的弧形顶面；一栅极，设于该多个鳍状结构上；一栅极介电层，设于该栅极与该多个鳍状结构之间；以及一漏极/源极掺杂区，设于各该多个鳍状结构中。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110581128A
申请号 ：
CN201810579878.3
公开（公告）日 ：
2019-12-17
申请日 ：
2018-06-07
授权号 ：
CN110581128B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
谢奇颖陈志容陈建宏李志岳邱诚朴卢世敏林永崧
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201810579878.3
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234 H01L27/11
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-01-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/088
申请日 : 20180607
申请日 : 20180607
2019-12-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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