半导体结构的制作方法及半导体结构
公开
摘要
本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构的制作方法及半导体结构。半导体结构的制作方法，包括：提供基底；在基底上形成目标厚度的阻挡层；对阻挡层进行第一次热处理，第一次热处理的温度为85℃‑100℃；对阻挡层进行曝光处理，并进行第二次热处理，第二次热处理的温度为85℃‑100℃；显影后，在阻挡层中形成通孔区域；根据通孔区域蚀刻基底，以形成通孔。通过在对阻挡层进行曝光处理前后，分别进行了第一次热处理和第二次次热处理，并且第一次热处理的温度范围为85℃‑100℃，第二次热处理的温度范围为85℃‑100℃，从而可以降低阻挡层出现裂纹的风险，以此保证后续利用显影后在阻挡层中形成通孔区域蚀刻基底，并获得高精度的通孔，从而改善半导体结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制作方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628322A
申请号 ：
CN202210246082.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王辉
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
李建忠
优先权 ：
CN202210246082.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/538
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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