半导体结构的制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供的半导体结构的制作方法，包括如下步骤：提供一半导体基底；在半导体基底上形成一第一反应层；在第一反应层上形成一第二反应层；第一反应层的至少一部分和第二反应层的至少一部分热反应，以形成一非晶扩散阻挡层。该非晶扩散阻挡层为非晶体，其中不存在晶界，也就切断了金属原子的扩散路径，从而有效提升了阻挡层的阻挡效果，解决了金属原子的扩散造成的电路性能问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373714A
申请号 ：
CN202011101827.3
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐慧文
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵新龙
优先权 ：
CN202011101827.3
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20201015
申请日 : 20201015
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
