半导体结构及半导体结构的制作方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括基底、第一接触结构、第二接触结构和第三接触结构，基底具有有源区，有源区内形成有依次相邻设置的源极区域、栅极区域和漏极区域；第一接触结构设置在源极区域和漏极区域上；第二接触结构设置在栅极区域上；第三接触结构设置在第一接触结构和第二接触结构上，第一接触结构和第二接触结构的顶面的面积均大于第三接触结构的底面的面积，第一接触结构和第三接触结构之间具有第一交界面，第二接触结构和第三接触结构之间具有第二交界面。本公开的半导体结构通过增大接触结构与有源区的接触面积，从而降低了接触结构的阻值，提高了半导体结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361165A
申请号 ：
CN202210037570.2
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汤继峰
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
苗源
优先权 ：
CN202210037570.2
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L23/48 H01L21/8242 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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