半导体结构及半导体结构的制作方法
授权
摘要
本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括衬底、栅极介电层、阻挡层以及栅电极，衬底具有沟槽；栅极介电层覆盖在沟槽的表面；阻挡层覆盖在栅极介电层的表面，且阻挡层包括突出部和主体部，突出部位于主体部的上方；栅电极位于沟槽中，栅电极包括第一部分和第二部分，第一部分位于第二部分的上方，且第一部分的宽度小于第二部分的宽度；其中，第一部分的上表面高于突出部，第二部分的上表面低于突出部。阻挡层的突出部能够压设在栅电极的第二部分上，从而增加衬底与栅电极之间的距离，改善栅极诱导漏极泄漏的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113078158A
申请号 ：
CN202110289527.0
公开（公告）日 ：
2021-07-06
申请日 ：
2021-03-10
授权号 ：
CN113078158B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
宛伟王盼刘洋
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
李建忠
优先权 ：
CN202110289527.0
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-07-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20210310
申请日 : 20210310
2021-07-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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